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此种方式的动态转矩计，釆用营原研究所的挂线（普罗尼制动）方式，电脑画面会显示转矩曲线。其挂线的形式如上右图所示。磁滞制动法因磁滞制动由低速到高速有稳定的制动力关系，转矩计使用很多，其原理为磁场中的磁滞力将对运行中的被测电机施加制动力制动。此时，反作用转矩会作用到磁滞转子的定子上，此时用测力器（loadcell）测出。制动力用产生磁场的线圈电流能任意设定。但磁滞转子的惯量大是其缺点，输出转矩为100mNm以下的小型步进电机普遍采用此方法。

废旧电缆利用方法
1.手工剥皮法：该法采用人工进行剥皮，效率低、成本高，而且工人的操作环境较差；
2.焚烧法：焚烧法是一种传统的方法，使废线缆的塑料皮燃烧，然后其中的铜，但产生的烟气污染极为严重，同时 ，在焚烧过程中铜线的表面严重氧化，降低了金属率，该法已经被各国严格禁止；
3.机械剥皮法：采用线缆剥皮机进行，该法仍需要人工操作，属半机械化，劳动强度大，效率低，而且只适用粗径线缆；
4.化学法：化学法废线缆技术是在上个世纪90年代提出的，一些 曾进行研究，我国在“八五”期间也进行过研究。该法有一个的缺点是产生的废液无法，对环境有较大的影响，故很少采用；
5.冷冻法：该法也是上个世纪九十年代提出的，采用液氮制冷剂，使废线缆在极低的温度下变脆，然后经过破碎和震动，使塑料皮与铜线段分离，我国在“八五”期间也曾经立项研究，但此法的缺点是成本高，难以进行工业化的生产

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1、电力电缆：中、低压电力电缆，高压电缆，超高压电缆，及特高压电缆，油浸、塑料、橡皮绝缘电力电缆

2、通信电缆：同轴通信电缆、市内通信电缆、煤矿专用通信电缆、屏蔽通信电缆、铠装通信电缆、阻燃通信电缆

3、特种电缆：耐高温电线电缆、聚醚砜绝缘电线、低电感电缆、低噪音电缆、加热电缆、电致发光电线、CMP电缆、电缆、无卤新型绿色环保电线电缆、交联电缆、裸电线、工厂电缆、

4、裸电线体制品：钢芯铝绞线、铜铝汇流排、电力机车线等

5、其他类型电缆：控制电缆、补偿电缆、屏蔽电缆、计算机电缆、信号电缆、同轴电缆、船用电缆、 /农用/矿用线缆、、光伏电缆、机电用电线电缆、生产用电线电缆、耐油/耐寒/耐温/耐磨线缆等

应用于大型的电力设施时，应该具有较强的热、动稳定性、足够的绝缘强度、灵敏的操作性能，闸能够进行分、合，能够 的时间内进行的操作。对于电力系统中有接地闸的隔离关，必须配备相应的连锁设备，在人工和突发情况下能够进行正确操作，在停电时应该先断隔离关，然后进行人工或者自动的闭合接地闸的流程进行，保证发生意外情况时，能够进行有效保护。在高压隔离关运行的过程中严格注意各个电路的连接点、闸口处接触是否良好，定期检查维修，保证闸嘴处不会出现过热造成表面腐蚀的现象，监视温度的蜡片有无严重熔化的情况的出现，同时还要注意对设备中应用的瓷瓶、瓷套管等设备进行检查，看瓷体表面有无裂痕、破碎的状况，及时的进行更换；对出现闪络放电痕迹进行监控，并及时的解决。39种电子元器件检验要求与方法电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）主称材料分类序号电阻器的分类：线绕电阻器薄膜电阻器：碳膜电阻器、碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器实心电阻器敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。电阻器阻值标示方法：直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20%。下图为相同尺寸和同一转子的两相PM型与三相PM型步进电机的速度—转矩特性。其速度—振动特性如下图所示。转矩特性方面，三相PM型步进电机在高速旋转时转矩较高；振动特性中三相PM型在步进电机低速下比较小；相应的噪音特性与两相PM型电机相比有更大改善。总之，三相PM型步进电机虽然结构比两相PM型步进电机复杂，但性价比更好。下表为试验电机参数，即相同尺寸的两相HB型与三相PM型步进电机的参数。下图为两种电机的速度—转矩特性及其速度-噪音特性：速度—转矩特性两者相差不多，三相PM型电机的噪音特性约低10dB。本次项目用到三菱plc的PROFIBUS-DP主站模块（QJ71PB92V）和34台三菱A800系列变频器、15台伟创大功率变频器进行通讯。可以进行频率和自动启停的控制。调试中遇到的问题：三菱plc主站模块和伟创变频器的PROFIBUS-DP卡通讯的不上。三菱的主站模块同时连接34台三菱变频器和15台伟创变频器时通讯不上。大功率伟创变频器的运行时和会干扰通讯，造成通讯的不稳定。解决方案：三菱的主站模块要和从站进行通讯，首先要在主站的配置中添加从站的DP板卡的配置文件。主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。